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硅靶 Si

概述:

硅靶材是一种纯度高、密度大、硬度高的材料,是由高级技术制造而成的三五族半导体基板。
技术参数

元素介绍

元素性质

  中文名

  硅

  膨胀系数

 (25℃)2.6μm·m-1·K-1

  元素符号

  Si

  热导率

  149W·m-1·K-1

  CAS号

  7440-21-3

  电阻率

(20℃)103nΩ·m

  物态

  固体

  杨氏模量

  130-188 GPa

  密度

  2.33g·cm³

  剪切模量

  51-80 GPa

  熔点

  1414℃

  体积模量

  97.6 GPa

  沸点

  3265℃

  莫氏硬度

  7

  熔化热

  50.21 kJ·mol-1

  泊松比

  0.064-0.28[6]

  汽化热

  359 kJ·mol-1

  磁序

  反磁性

  比热容

  19.789 J·mol-1·K-1

  晶体结构

  钻石

产品应用

硅靶材在半导体领域的应用

硅靶材是半导体制造的主要材料之一,广泛应用于IC芯片、太阳能电池、LED、传感器等领域。在半导体工艺中,硅靶材被用于制备单晶硅、硅片和硅膜,具有极高的生产效率和稳定性,能够保证产品的高品质。


硅靶材在电子领域的应用

硅靶材还在电子领域有广泛的应用。在电子器件制造过程中,硅靶材用于制备薄膜晶体管、场效应晶体管、晶体管、二极管等器件,同时也用于制造硅基电路板、磁性材料等。


硅靶材在光学领域的应用

硅靶材在光学领域的应用也十分广泛,被用于制造各种高品质的光学器件,如反射镜、透镜、滤光片、光学玻璃等。硅靶材的高纯度能够保证光学器件的清晰、稳定和精度。