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二氧化硅靶 SiO2

概述:

二氧化硅(SiO2)溅射靶可用于半导体,化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)显示器和光学应用。
技术参数

  材料名称

  二氧化硅

  分子式

  SiO2

  CAS号

  60676-86-0

  分子量

  60.084

  密度

  2.6 g/mL at 25℃(lit.)

  沸点

  2230℃

  熔点

  1610℃

产品应用

微电子与光电子领域

绝缘层:在微电子设备中,二氧化硅薄膜作为绝缘层,能有效隔离电子器件中的导电部分,防止电流泄露,保证设备的正常工作。

抗反射层:在光电子设备如LED、光学镜头和太阳能电池等中,二氧化硅薄膜被用作抗反射层,减少光的反射损失,提高光的透过率或光电转换效率。

光波导:二氧化硅薄膜因其优异的光学透明性和稳定性,在光纤通讯和集成光学电路中作为光波导材料,用于传输和处理光信号。


光伏领域

表面钝化层:在太阳能电池上应用二氧化硅薄膜,可以减少表面载流子的复合,提高电池的效率。此外,作为抗反射层,也能增加光的吸收,进一步提升电池的性能。


表面防护领域

防腐蚀和防护涂层:二氧化硅薄膜在金属表面的应用可以有效防止腐蚀和磨损,延长材料的使用寿命。在文化遗产保护中,二氧化硅薄膜也被用于保护易受环境影响的物质表面。